Investigadores de Stanford Criam Painéis Solares de Elevado Desempenho e Baixo Custo

Uma equipa de investigadores do Departamento de Engenharia e Ciências dos Materiais da Universidade de Stanford desenvolveu um processo que permite o fabrico de células solares de elevado desempenho a um custo muito inferior ao conseguido com métodos de fabrico convencionais. Para tal os investigadores norte-americanos recorreram a um material semicondutor alternativo, mais eficiente.

Embora o Silício, material tipicamente utilizado no fabrico de células fotovoltaicas, tenha um custo cerca de mil vezes inferior ao Arsenieto de Gálio (GaAs), o seu desempenho é muito inferior. Este último oferece propriedades óticas ideais para serem usadas em células solares, sendo um dos materiais mais eficientes do mundo no processo de conversão de luz solar em eletricidade.

De forma a minimizar o dispêndio de Arsenieto de Gálio na obtenção das células, os engenheiros de Stanford criaram um método que permite a reutilização das placas semicondutoras.
Em vez de utilizar uma placa (“wafer”) de Arsenieto de Gálio por cada série de células fabricadas, a mesma placa é reutilizada em várias séries. Isto é conseguindo através da separação da película superficial, da placa principal, recorrendo a tecnologia laser.

Tal como explicado no vídeo abaixo, o método desenvolvido em Stanford permite o reaproveitamento sucessivo das placas de Arsenieto de Gálio tornando-as numa ferramenta, em vez de, simplesmente serem usadas como matéria-prima.

Embora as células solares obtidas com o novo processo sejam, ainda assim, 50 a 100 vezes mais caras que as tradicionais células de Silício, aquelas podem agora ser utilizadas de forma mais generalizada, em vez de ficarem restringidas a aplicações de caráter crítico e pontual.

Até ao dia 30 de Abril de 2015, os investigadores disponibilizam o texto completo do artigo “Laser liftoff of gallium arsenide thin films” gratuitamente, podendo o mesmo ser descarregado na ligação abaixo.

DOWNLOAD DO ARTIGO COMPLETO
Laser liftoff of gallium arsenide thin films

Fonte: “Laser liftoff of gallium arsenide thin films” via Cambridge University Press 2015

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